¤ Date generale despre proiect:

Proiect finantat in cadrul PNII- Programul Resurse Umane, Proiecte de cercetare pentru stimularea constituirii de tinere echipe de cercetare independente, PN-II-RU-TE-2014-4.

• Contract Nr. 331/1.10.2015,
• Durata proiectului: 2015-2017
• Bugetul proiectului: 550.000 RON
• Domeniu: Stiinte ingineresti
  

¤ Despre proiect

Proiectul isi propune dezvoltarea unei noi clase de compusi semiconductori III-V ca de pilda compusii GaNAsBi-pe-GaAs cu energia benzii interzise in jurul a 1-eV precum si cu proprietati electrice, optice si structurale imbunatatite propice pentru implementarea in celule solare de inalta eficienta.

[mai multe detalii]

¤ Rezultate estimate

• Crestere prin Epitaxie Moleculara a GaNAsBi/ GaAs si a celulelor solare p-i-n
• Caracterizari structurale/electrice/optice ale GaNAsBi/GaAs si ale celulelor solare p-i-n neprocesate
• Procesare si caracterizare a celulelor solare p-i-n GaAs+/GaNAsBi/GaAs-

[mai multe detalii]

¤ Obiectivele proiectului

• Creșterea și caracterizarea aliajelor cu grad de dispozitiv 1-eV GaNAsBi acordate in rețea cu substratul de GaAs.
• Proiectarea, creșterea, fabricarea (procesarea) și caracterizarea unei cellule solare p-i-n GaAs+/GaNAsBi/GaAs- pe substrat de GaAs cu aliaje 1-eV (In)GaNAsBi acordate in rețea cu GaAs.

Scopul proiectului este de a demonstra că proprietățile aliajelor GaNAsBi și al heterostructurilor lor avansate, crescute pe (001) GaAs, sunt potrivite pentru colectarea eficientă a energiei solare.

[mai multe detalii]

¤ Echipa proiectului

Echipa este coordonata de catre Dr. Emil Mihai Pavelescu, cercetător științific gradul I la INCD pentru Microtechnologie– IMT București din 2009 și conferențiar universitar la Facultatea de Fizică a Universității Hyperion din 2011.
Este autor sau co-autor la peste 55 publicații in reviste cu recenzie internaționale și naționale (toate indexate ISI). Researcher ID:   E-7512-2010 [mai multe detalii]

¤ Noutati/ Evenimente/ Progresul proiectului

In curand!