 |
|
Descrierea proiectului Dispozitivele nanoelectronice bazate pe materiale oxidice sunt intensiv studiate in prezent ca alternative cu dimensiuni reduse la dispozitivele electronice in circuitele integrate CMOS si ca dispozitive electronice avansate capabile sa utilizeze proprietatile cuantice asociate spinului electronic. Proiectul are ca scop studiul si obtinerea unor dispozitive nanoelectronice demonstratoare MOSFET care sa utilizeze filme oxidice ultrasubtiri dopate cu pamanturi rare (Mox:RE) si cu metale de tranzitie (Mox:TM) pentru cele doua tipuri de aplicatii. Proiectul va aduce contributii la dezvoltarea unor noi tehnologii de material si de dispozitiv. Vor fi aduse contributii la intelegerea fenomenelor care limiteaza performantele actuale ale dispozitivelor si la dezvoltarea unei noi metodologii pentru modelarea la scara atomica si nanometrica a noii generatii de dispozitive nanoelectronice.
______________________________________________________ Despre proiect | Parteneri | Obiective | Rezultate | Evenimente | Membership | Contact | Home |
||||||||||||||||||
 |