Scopul proiectului consta in dezvoltarea de noi concepte de fotodetectoare cu sensibilitate optica ridicata pe un domeniu spectral larg (UV-VIS-NIR-SWIR) bazate pe straturi subtiri de materiale si nanocompozite semiconductoare si analiza aplicabilitatii acestora in domeniul aerospatial.

Componentele optice si optoelectronice sunt utilizate intr-o gama larga de aplicatii spatiale, cum ar fi observarea spatiului si a pamantului, sisteme de comunicati optice, roboti, sisteme de senzori. Componenta de baza a unui sistem optic este fotodetectorul. Fotodectodetectoarele pentru domeniiul UV-Vs sunt realizate in general pe siliciu, iar detectoarele pentru diverse subdomenii din  IR sunt realizate pe compusi semiconductori- tipic HgCdTe. Realizara acestor detectoare presupune utilizarea unor procese tehnologice scumpe (de ex. cresteri epitaxiale) si in plus fodetectoaree pot fi optimizate numai pentru functionare intr-un domeniu spectral ingust. Pentru obtinerea unor detectori de banda larga este necesara utilizarea unei structuri tip stiva, cu mai multe fotodetectoare suprapuse.

Ideea proiectului consta in utilizarea unor straturi subtiri de materiale compozite semiconductoare cu absorbtie pe un domeniu spectral larg, realizabile prin procese tehnologice simple (de ex. depuneri din solutii prin spining sau casting) si obtinerea unor responsivitati ridicate prin utilizarea de QDs (quantum dots) si sau efecte plasmonice.