N-BiCell
Noi compusi semiconductori III-N-Bi pentru celule solare de inalta eficienta

¤ Date generale despre proiect:

Proiect finantat in cadrul PNII- Programul Resurse Umane, Proiecte de cercetare pentru stimularea constituirii de tinere echipe de cercetare independente, PN-II-RU-TE-2014-4.

  • Contract Nr. 331/1.10.2015,
  • Durata proiectului: 2015-2017
  • Bugetul proiectului: 550.000 RON
  • Domeniu: Stiinte ingineresti
Despre proiect Rezultate estimate Obiectivele proiectului Echipa proiectului

¤ Obiectivele proiectului

Ideea principala a acestui proiect este dezvoltarea aliajelor GaNAsBi.

Acest proiect are două obiective interconectate:

  • Creșterea și caracterizarea aliajelor cu grad de dispozitiv 1-eV GaNAsBi acordate ȋn rețea cu substratul de GaAs.
  • Proiectarea, creșterea, fabricarea (procesarea) și caracterizarea unei cellule solare p-i-n GaAs+/GaNAsBi/GaAs- pe substrat de GaAs cu aliaje 1-eV (In)GaNAsBi acordate in rețea cu GaAs.

Scopul este de a demonstra că proprietățile aliajelor GaNAsBi și al heterostructurilor lor avansate, crescute pe (001) GaAs, sunt potrivite pentru colectarea eficientă a energiei solare. Intr-adevăr, incă din apariția in literatură a GaAsBi, interesul pentru aceste noi materiale au condus multe grupuri de cercetare internaționale să lanseze acest subiect.

In ciuda acestor rezultate obținute in ultimii 10 ani, numai câteva s-au ocupat cu studiul aliajelor GaNAsBi [Phys. Stat. Sol. (b) 243, 1421 (2006)] și nici-unul cu aliajele (In)GaNAsBi. Mai mult, nici una din rezultatele de cercetare publicate raportează realizarea experimentală a unei cellule solare conținând aliajele de nitruri-antimoniuri diluate ci nu mai despre potrivirea acestor materiale pentru celule solare. Pentru aceste motive, proiectul este original și inovativ.

Celula solară conținând aliajele GaNAsBi,  țintind a fi realizată in acest proiect va acționa ca “proof-of-concept” pentru comunitatea științifică. Investigatorul de proiect (PI) are o experiență de durată (mai mult de 10 ani) in creșterea și caracterizarea materialelor din grupul III-N prin MBE, in special a aliajelor de nitruri diluate. Anterior, PI a condos investigații șI a dezvoltat, in cadrul unui proiect recent incheiat, “Development of advanced heterostructures containing III-N nitrides semiconductor compounds used in high-efficiency solar cell”, o metodă (iradiere cu electroni + tratament termic rapid, vezi [Semicond. Sci. Technol. 28, 025020, 2013]) să imbunățățească semnificativ eficiența de emisie a aliajelor 1-eV GaInNAs/GaAs (N>2%), acordate in rețea cu GaAs, presupuse a fi incorporate intr-o celulă tandem cu 3 joncțiuni.

Foarte recent, I s-a acordat PI-ului un proiect internațional, care se ocupă, printre alte obiective, și cu dezvoltarea aliajelor InGaNAs acordate in rețea cu GaAs pentru cellule solare cu bandă intermediară de inaltă eficiență (http://www.imt.ro/N-iBCell). Astfel, pentru PI, proiectul reprezintă eforturi de cercetare continue in domeniul nitrurilor grupului III și al aliajelor acestora.  

 

[Inapoi la pagina principala]

 

¤ Proiect coordonat de:

Institutul National de Cercetare-Dezvoltare pentru Microtehnologie- IMT Bucuresti
http://www.imt.ro/

Contact   Proiect finantat de:
Institutul National de Cercetare-Dezvoltare pentru Microtehnologie- IMT Bucuresti
Director de proiect: Dr. Emil Mihai Pavelescu
E-mail: emil[dot]pavelescu[at]imt[dot]ro
Tel:  +40-21-269.07.70; +40-21-269.07.74;
Fax: +40-21-269.07.72; +40-21-269.07.76;
Website: www.imt.ro
 

 

Copyright © 2015 Institutul National de Cercetare-Dezvoltare pentru Microtehnologie-IMT Bucuresti. Toate drepturile rezervate.