MIFOGAN

Proiectul are ca scop principal dezvoltarea unor tehnologii noi, bazate pe microprelucrarea si nanoprocesarea GaN/Si pentru realizarea de dispozitive inovative, ale caror performante sa reprezinte starea artei: (i) fotodetector UV pe membrana de GaN cu traductori interdigitati (IDT)  avand digiti si interdigiti de 100 nm latime , pentru aplicatii cu iluminare pe spate necesara; (ii) structuri SAW bazate pe GaN cu frecventa de lucru pana in banda X, folosind IDT-uri cu digiti si interdigiti de 100-150 nm latime; (iii) integrarea unei structuri SAW nanoprocesate  cu un fotodetector UV pe membrana, intr-o structura complet noua.

Obiectivul 1: realizarea si caracterizarea unui fotodetector MSM pentru UV pe membrane subtiri de GaN

Obiectivul 2: realizarea de structuri SAW pe GaN/Si pentru banda X de frecvente (8-12 GHz)

Obiectivul 3: realizarea unui nou fotodetector UV integrat cu o structura SAW