|
|
Descrierea proiectului
Proiectul are ca scop dezvoltarea unei tehnologii versatile si fiabile pentru fabricarea fotodetectoarelor multispectrale. Detectia multispectrala este necesara intr-o gama larga aplicatii spatiale si de securitate, cum ar fi sisteme de imagistica pentru observarea pamantului si a spatiului, sisteme de supraveghere, detectie, alerta, recunoastere. Vom utiliza cu precadere materiale semiconductoare procesabile din solutie, care pot fi depuse in straturi subtiti prin metode ieftine pe o gama larga de substrate, inclusiv pe substrate cu circuite CMOS sau substrate flexibile. Scopul principal este oferirea unei alternative la variantele actuale bazate pe procese scumpe cum ar fi cresteri epitaxiale si/sau sudura cipurilor pentru obtinerea de structuri multistrat realizate pe materile diferite pentru a acoperi o banda spectrala larga, de la UV la SWIR. Am obtinut rezultate preliminare promitatoare privind depunerea de straturi subtiri de materiale semiconductoare pe baza de nanocompozite ale grafenei si puncte cuantice de PbS. Dispozitivele test realizate au caracterisitici cum ar fi responsivitatea, gama dinamica, banda spectrala superioare dispozitivelor recent raportate in literatura, pe baza de PbS QDs integrabile pe siliciu si pe baza de heterojoctiuni ale siliciului cu noi materiale 2D (grafena, MoS2). Totusi performatele privind curentul de intuneric, linearitatea, timpul de raspuns mai trebuie imbunatatite prin introducerea optimizarea si dezvoltarea de noi procese si ingieria interfetelor.
|
