1.      R. Pascu*, C. Romanitan, „Phase transition of nickel silicide compounds and their electrical properties”, in Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2021, 32, 16811–16823. https://doi.org/10.1007/s10854-021-06238-1, IF = 2.22 

2.      R. Pascu*, G. Pristavu, G. Brezeanu, F. Draghici, P. Godignon, C. Romanitan, M. Serbanescu, A. Tulbure, „60–700 K CTAT and PTAT Temperature Sensors with 4H-SiC Schottky Diodes”, in Sensors, Vol. 21, pp. 942, 2021. Doi: https://doi.org/10.3390/s21030942, IF = 3.275

* Corresponding author.

Proceedings indexat ISI

1.      R. Pascu, G. Pristavu, M. Kusko, F. Draghici, G. Brezeanu, „Detecting anomalous behavior in Si MOS capacitors”, IEEE CAS Proceedings 2020, pp. 103 - 106, 2021.

Conferences:

1.        R. Pascu, G. Pristavu, M. Kusko, F. Draghici, G. Brezeanu, „Detecting anomalous behavior in Si MOS capacitors”, prezentare orala, International Semiconductor Conference (CAS), 6 – 8 Octombrie 2021, prezentare online, Romania.

2. R. Pascu, G. Brezeanu, G. Pristavu, F. Draghici, A. G. Pribeanu, A. M. Dragomir, S. Niculescu, „SiC technology for harsh environment applications”, prezentare orala, A XIII-a CONFERINȚĂ DE ȘTIINȚA ȘI INGINERIA MATERIALELOR OXIDICE – CONSILOX, 1-3 octombrie 2021, prezentare online, Alba Iulia, Romania.

3. R. Pascu, G. Brezeanu, G. Pristavu, F. Draghici, „Differential hydrogen sensor based on SiC MOS capacitors”, poster, ECSCRM 2021, 24—28 octombrie 2021, prezentare online, Tours, Franta.