¤ Descrierea proiectului
Ideea acestui proiect consta in dezvoltarea si cercetarea materialelor inrudite cu grafena (Gbm - graphene based materials), materiale capabile a fi integrate in noi dispozitive fotovoltaice (PV) de tipul heterostructuri Gbm/Siliciu.
Fata de tehnologiile pe baza de filme si "flake"-uri din grafena, accentul va fi pus pe nanoparticulele pe baza de grafena, cunoscute si ca doturi cuantice de grafena (GQDs).
Structura GQDs poate varia de la un strat la cateva straturi de grafena, avand dimensiuni laterale nanometrice si grupari functionale native, care ajusteaza alinierea nivelelor energetice, permitand astfel deschiderea de noi orizonturi in domeniul dispozitivelor fotovoltaice. Heterojonctiunile formate intre Si si materiale pe baza de carbon reprezinta o solutie pentru dispozitivele fotovoltaice, deoarece pot fi considerate situsuri active in procesul de fotogenerare, prezinta o retea interconectata pentru transportul si colectarea purtatorilor de sarcina.
Pentru ca eficienta dispozitivelor fotovoltaice depinde de capacitatea de absorbtie a fotonilor incidenti si de colectarea purtatorilor generati, in acest proiect se urmareste dezvoltarea unui dispozitiv fotovoltaic (PV) hibrid avand ca suport un substrat de siliciu flexibil nanostructurat (nanoSi) si doturi cuantice de grafena (GQDs).
Abordarile inovatoare propuse in vederea depasirii stadiului actual in domeniu sunt urmatoarele:
- utilizarea structurilor de grafena 0D, in locul celei clasice 2D, prezinta avantaje referitoare la aranjarea spatiala mult mai avantajoasa cat si la posibilitatea de a fi functionalizata in etapa de sinteza
- functionalizarea GQDs va permite imbunatatirea gradului de comunicare electrica prin cresterea schimbului de purtatori de sarcina cu substratul
- propunerea unor dispozitive fotovoltaice pe baza de GQDs si nanoSi care au potentialul de a fi miniaturizate si integrate in structura cladirilor sau pe tesuturile textile
- obtinerea unui substrat flexibil paternat cu nanostructuri de tipul nanofirelor sau nanocilindrilor de Si.
|
